Diodes Inc. DMN3404L-7
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | DMN3404L-7 | 78.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| TME | DMN3404L-7 | 0 | 1 | 6h | ||||||||
| Newark | DMN3404L-7 | 0 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Conrad | 3409526 | 2.658 | 14h | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | DMN3404L-7 | 0 | 3K | Bulk | 23h |
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Stock
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9,584,587
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23
SOT-23
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
-
Continuous Drain Current (ID)
2 A
2 A
Threshold Voltage
1.5 V
-
Rds On Max
28 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
720 mW
-
Input Capacitance
386 pF
-
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InfineonBSS306NH6327XTSA1
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.041ohm; 0.5W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMN3404L-7 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 30 V 28 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 4.2 A, 0.028 ohm, SOT-23, Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
MOSFET,N CH,30V,5.8A,SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.2A; Source Voltage Vds:30V; On Resistance
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance28 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6.18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance386 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.4 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation720 mW
Rds On Max28 mΩ
Resistance28 mΩ
Rise Time6.18 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.5 V
Turn-Off Delay Time13.92 ns
Turn-On Delay Time3.41 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade