Texas Instruments CSD25481F4
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Stock
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Authorized Distributors
2
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
QFN
QFN
Drain to Source Voltage (Vds)
-20 V
-20 V
Continuous Drain Current (ID)
-2.5 A
-2.5 A
Threshold Voltage
-
-950 mV
Rds On Max
88 mΩ
88 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
-12 V
-12 V
Power Dissipation
500 mW
500 mW
Input Capacitance
189 pF
189 pF
Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 19 hours ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 19 hours ago)
Recursos de engenharia
Veja kits de avaliação e designs de referência de Texas Instruments CSD25481F4.
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Descrições
Descrições de Texas Instruments CSD25481F4 fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR / P-Channel 20 V 2.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 3-PICOSTAR
-20-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 1 mm, 105 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
MOSFET P-Ch, 20V, 2.5A, 88mΩ@500mA/8V, 189pF@10V, 0.913nC@4.5V, 1.2V@250µA, 500mW(Ta), PICOSTAR-3, SMD, 350μm H
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Tantalum Capacitors - Solid SMD 10volts 470uF 10% ESR=100mOhms
MOSFET P-CH Pwr MOSFET 20V 90mohm
MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Nomes alternativos do fabricante
Texas Instruments possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Texas Instruments também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageQFN
MountSurface Mount
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)-2.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance90 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)-12 V
Input Capacitance189 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation500 mW
Rds On Max88 mΩ
Rise Time3.6 ns
Turn-Off Delay Time16.9 ns
Turn-On Delay Time4.1 ns
Dimensions
Height350 µm
Length1.035 mm
Width635 µm
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