Texas Instruments CSD25310Q2
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Stock
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4
4
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
-
Continuous Drain Current (ID)
20 A
-
Threshold Voltage
-850 mV
-
Rds On Max
23.9 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
8 V
-
Power Dissipation
2.9 W
-
Input Capacitance
655 pF
-
Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Recursos de engenharia
Veja kits de avaliação e designs de referência de Texas Instruments CSD25310Q2.
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25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 2mm X 2mm PQFN package, PG-TSDSON-6, RoHS
Descrições
Descrições de Texas Instruments CSD25310Q2 fornecidas pelos seus distribuidores.
-20-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 23.9 mOhm 6-WSON -55 to 150
MOSFET, P-CH, -20V, -20A, WSON-6; Polarité transistor: Canal P; Courant de drain Id: -20A; Tension Vds max..: -20V; Résistance Rds(on): 0.0199ohm; Tension, mesure Rds: -4.5V; Tension de seuil Vgs: -850mV; Dissipation de puissa
Mosfet, P-Ch, -20V, -20A, Wson-6; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-20A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(On):0.0199Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-850Mv; Power Rohs Compliant: Yes |TEXAS INSTRUMENTS CSD25310Q2
Nomes alternativos do fabricante
Texas Instruments possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Texas Instruments também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Especificações técnicas
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Resistance19.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance655 pF
Max Operating Temperature85 °C
Max Power Dissipation2.9 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation2.9 W
Rds On Max23.9 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-850 mV
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height800 µm
Length2 mm
Thickness750 µm
Width2 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade