Texas Instruments CSD23381F4T
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Stock
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Authorized Distributors
4
4
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
QFN
SMD/SMT
Drain to Source Voltage (Vds)
-12 V
12 V
Continuous Drain Current (ID)
-2.3 A
2.3 A
Threshold Voltage
-950 mV
-
Rds On Max
175 mΩ
175 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
-8 V
-8 V
Power Dissipation
500 mW
500 mW
Input Capacitance
236 pF
236 pF
Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Recursos de engenharia
Veja kits de avaliação e designs de referência de Texas Instruments CSD23381F4T.
Descrições
Descrições de Texas Instruments CSD23381F4T fornecidas pelos seus distribuidores.
Mosfet Transistor, P Channel, -2.3 A, -12 V, 0.15 Ohm, -4.5 V, -950 Mv
MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR / P-Channel 12 V 2.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 3-PICOSTAR
-12-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 1 mm, 175 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
Nomes alternativos do fabricante
Texas Instruments possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Texas Instruments também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageQFN
MountSurface Mount
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)-2.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-12 V
Drain to Source Resistance150 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-12 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)-8 V
Input Capacitance236 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Power Dissipation500 mW
Rds On Max175 mΩ
Rise Time3.9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-950 mV
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time4.5 ns
Dimensions
Height350 µm
Length1.035 mm
Width635 µm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade