Texas Instruments CSD16301Q2
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Descrições
Descrições de Texas Instruments CSD16301Q2 fornecidas pelos seus distribuidores.
25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 29 mOhm 6-WSON -55 to 150
Texas Instruments N-Ch Enhance MOSFET NexFET, Vds=25V 5A WSON SMD 6-Pin
MOSFET,N CH,25V,5A,SON-6; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5A; Drain Source Voltage Vds: 25V; On Resistance Rds(on): 0.019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 8V; Threshold Voltage Vgs: 1.2V; Power Dissip
Nomes alternativos do fabricante
Texas Instruments possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Texas Instruments também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance23 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time1.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance340 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.3 W
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max24 mΩ
Rise Time4.4 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.2 V
Turn-Off Delay Time4.1 ns
Turn-On Delay Time2.7 ns
Dimensions
Height800 µm
Length2 mm
Thickness750 µm
Width2 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade