Vishay SI5457DC-T1-GE3
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginUSA
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-09-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
onsemiMCH3477-TL-W
MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70 / N-Channel 20 V 4.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SC-70FL/MCPH3
Descrições
Descrições de Vishay SI5457DC-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single P-Channel 20 V 36 mO 38 nC Surface Mount Mosfet - ChipFET-1206-8
5.7W(Tc) 12V 1.4V@ 250¦ÌA 38nC@ 10 V 1P 20V 36m¦¸@ 4.9A,4.5V 6A 1nF@10V SMD 3.05mm*1.65mm*1.1mm
MOSFET Devices; VISHAY; SI5457DC-T1-GE3; 20 V; 6 A; 12 V; 2.3 W
场效应管, MOSFET, P沟道, 20V, 6A, 1206 CHIPFET;
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin Chip FET T/R
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.036ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Transistor Polarity:p Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:6A; On Resistance Rds(On):0.03Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1.4V Rohs Compliant: No
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSMD/SMT
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight84.99187 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance36 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5.7 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.3 W
Rds On Max36 mΩ
Resistance36 mΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade