Texas Instruments CSD13381F4T
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Stock
2,186,251
2,520,135
Authorized Distributors
5
4
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
QFN
QFN
Drain to Source Voltage (Vdss)
12 V
12 V
Continuous Drain Current (ID)
2.1 A
2.1 A
Threshold Voltage
850 mV
-
Rds On Max
180 mΩ
180 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
8 V
8 V
Power Dissipation
500 mW
500 mW
Input Capacitance
200 pF
200 pF
Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Recursos de engenharia
Veja kits de avaliação e designs de referência de Texas Instruments CSD13381F4T.
Kit de avaliação
Descrições
Descrições de Texas Instruments CSD13381F4T fornecidas pelos seus distribuidores.
12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 180 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PICOSTAR T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 12V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Texas Instruments NMOS, Vds=12 V, 2.1 A, PICOSTAR
Mosfet, N-Channel, 12V, 2.1A, Lga-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.1A; Drain Source Voltage Vds:12V; On Resistance Rds(On):0.14Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:850Mv; Power Rohs Compliant: Yes |TEXAS INSTRUMENTS CSD13381F4T
Nomes alternativos do fabricante
Texas Instruments possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Texas Instruments também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TEXAS INSTRUM
- TI Texas Instruments
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageQFN
MountSurface Mount
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage12 V
Drain to Source Resistance140 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance200 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation500 mW
Rds On Max180 mΩ
Rise Time1.5 ns
Schedule B8541210040
Threshold Voltage850 mV
Turn-Off Delay Time11 ns
Turn-On Delay Time3.7 ns
Dimensions
Height350 µm
Length1.035 mm
Width635 µm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade