STMicroelectronics STW50N65DM2AG
$ 3.53
Production
Preço e estoque
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Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-16138-5-ND | 430 | 1 | Tube | ||||||||
| TME | STW50N65DM2AG | 0 | 1 | 7h | ||||||||
| Newark | STW50N65DM2AG | 0 | 1 | |||||||||
| Avnet | STW50N65DM2AG | 0 | 600 | 1d | ||||||||
| Future Electronics | STW50N65DM2AG | 0 | 600 | Tube |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-07-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
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Descrições
Descrições de STMicroelectronics STW50N65DM2AG fornecidas pelos seus distribuidores.
Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 650V, 38A, 300W Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW50N65DM2AG
Trans MOSFET N-CH 650V 38A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 650V, 0.087ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Tendência de 3 meses: -0.18%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)38 A
Drain to Source Resistance87 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Input Capacitance3.2 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max87 mΩ
Schedule B8541290080
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