STMicroelectronics STW42N60M2-EP
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N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 37 A, 99 mΩ, TO-247
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STW42N60M2-EP fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 package
N-Channel 600 V 87 mOhm Flange Mount MDmesh M2 Power Mosfet - TO-247 EP
Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 600V, 0.087ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Mosfet, N-Ch, 600V, 34A, To-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:34A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW42N60M2-EP
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -6.89%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)34 A
Drain to Source Resistance87 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance2.37 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max87 mΩ
Schedule B8541290080
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