STMicroelectronics STW32N65M5
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Fichas técnicas e documentos
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-01-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTW38N65M5
N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW34N65M5
N-channel 650 V, 0.09 Ohm, 28 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW35N65M5
N-channel 650 V, 0.085 Ohm, 27 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247
InfineonIPW65R110CFDAFKSA1
Mosfet, N-Ch, Aec-Q101, 650V, To-247-3; |Infineon Technologies IPW65R110CFDAFKSA1
InfineonIPW60R099CPAFKSA1
Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 600V, 31A, 255W; |Infineon Technologies IPW60R099CPAFKSA1
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STW32N65M5 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 650 V, 0.095 Ohm, 24 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 650V, 0.119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V 24 A
MOSFET N-CHANNEL 650V 24A TO247
STMICROELECTRONICS STW32N65M5 MOSFETS
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
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Modelos CAD
0 modelos disponíveis
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance119 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance3.32 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max119 mΩ
Resistance119 MΩ
Rise Time12 ns
Turn-Off Delay Time53 ns
Turn-On Delay Time53 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para STMicroelectronics STW32N65M5.
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant