STMicroelectronics STW35N65M5
$ 9.06
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | STW35N65M5 | 0 | 10 | Bulk | 10h | |||||||
| Microchip USA | STW35N65M5 | 2.967 | 600 | Tray | 7d | |||||||
| Win Source | WS-STW35N65M5 | 10.800 | 10 | 19h | ||||||||
| Worldway Electronics | STW35N65M5 | 13.558 | 7 | Tube | 19h | |||||||
| Esaler Electronic | STW35N65M5 | 600 | 11h |
Fichas técnicas e documentos
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Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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InfineonIPW65R110CFDAFKSA1
N-Channel 650 V 31.2 A 277.8 W 110 mOhm Through Hole Mosfet - PG-TO247-3
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STW35N65M5 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 650 V, 0.085 Ohm, 27 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247
Trans MOSFET N-CH Si 650V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / MOSFET N-CH 650V 27A TO-247
650V, 27A, 0.085 OHM MDMESH N-CHANNEL V POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 650V, 0.098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)27 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance98 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance3.75 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation160 W
Rds On Max98 mΩ
Resistance98 MΩ
Rise Time12 ns
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time60 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant