STMicroelectronics STW28NM60ND
$ 2.948
Obsolete
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Fichas técnicas e documentos
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-04-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-01-10
LTD Date2021-07-10
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTW33N60M2
N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW28N60M2
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW34NM60N
N-channel 600 V, 0.092 Ohm typ., 31.5 A MDmesh II Power MOSFET in TO-247 package
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STW28NM60ND fornecidas pelos seus distribuidores.
STW28NM60ND N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 23 A, 650 V, 3-PIN TO-247
N-channel 600 V, 0.120 Ohm typ., 24 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-247 package
N-Channel 600 V 0.15 O Flange Mount FDmesh II Power Mosfet - TO-247
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 600V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)23 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance150 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.09 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation19 W
Rds On Max150 mΩ
Rise Time21.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time92 ns
Turn-On Delay Time23.5 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant