STMicroelectronics STW34NM60N
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-08-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTW36N55M5
N-channel 550 V, 0.06 Ohm, 33 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW43NM60ND
N-channel 600 V, 0.075 Ohm, 35 A, TO-247 FDmesh(TM) Power MOSFET (with fast diode)
InfineonIPW60R099CPAFKSA1
Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 600V, 31A, 255W; |Infineon Technologies IPW60R099CPAFKSA1
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STW34NM60N fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 600 V, 0.092 Ohm typ., 31.5 A MDmesh II Power MOSFET in TO-247 package
Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / MOSFET N-CH 600V 29A TO-247
STW34NM60N N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 29 A, 600 V, 3-PIN TO-247
ANALOG DEVICES - AD633ARZ - Divider/Multiplier IC, 3 AMPs, 1 MHz Small Signal BW, 20 V/µs slew, 8 V to 18 V supply, SOIC-8
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube MDmeshseries, Vds=600 V, 29 A, TO-247encapsulation, Through hole mounting, 3Pin
MOSFET, N CH, 600V, 29A, TO 247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 29A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.092ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Powe
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)29 A
Drain to Source Resistance105 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time70 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.722 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation210 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation210 W
Rds On Max105 mΩ
Resistance105 MΩ
Rise Time34 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time106 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant