STMicroelectronics STU16N65M2
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | STU16N65M2 | 0 | 1 | |||||||||
| Avnet | STU16N65M2 | 0 | 3K | 3d | ||||||||
| Mouser | 511-STU16N65M2 | 772 | 1 | Tube | ||||||||
| Win Source | WS-STU16N65M2 | 15.000 | 18 | 21h | ||||||||
| Worldway Electronics | STU16N65M2 | 28.962 | 7 | Tube | 22h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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MOSFET N-CH 650V 3.1A TO251 / N-Channel 650 V 3.1A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-251
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STU16N65M2 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
Mosfet, N-Ch, 650V, 11A, To-251 Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STU16N65M2
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 650V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
Power MOSFETs, 650V, 11A, IPAK, Tube
STMicroelectronics SCT
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Resistance360 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Input Capacitance718 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max360 mΩ
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