STMicroelectronics STP24N60DM2
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STP28NM60ND N-channel MOSFET Transistor, 23 A, 600 V, 3-Pin TO-220
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N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 20.6 A, 190 mΩ, TO-220F
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STP24N60DM2 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
Single N-Channel 600 V 0.2 Ohm 29 nC 150 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220-3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 18 A, 200 Milliohms, TO-220, 3 Pins, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
150W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 29nC@ 10 V 1N 600V 200m¦¸@ 9A,10V 18A 1.055nF@100V TO-220
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 600V, 18A, To-220Ab; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:18A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP24N60DM2
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -9.60%
Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance200 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.055 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max200 mΩ
Rise Time8.7 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant