STMicroelectronics STP13N65M2
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-12-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
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Descrições
Descrições de STMicroelectronics STP13N65M2 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
N-Channel 650 V 430 mOhm Flange Mount MDmesh M2 Powr Mosfet -TO-220
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin TO-220 Tube
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountSurface Mount, Through Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Resistance430 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance590 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage650 V
Number of Elements1
Rds On Max430 mΩ
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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