STMicroelectronics STP11NK40Z
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Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTP11NK50Z
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 500V 10A TO-220FP
STMicroelectronicsSTP12NK30Z
N-CHANNEL 300V 0.36 OHM 9A TO-220 ZENER-PROTECTED SUPER-MESH POWER MOSFET
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STP11NK40Z fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 400 V 0.49 Ohm 9 A Flange Mount Power Mosfet - TO-220
N-channel 400 V, 0.49 Ω, 9 A, TO-220, TO-220FP, D²PAK Zener-protected SuperMESH͐2;2; Power MOSFET
STP11NK40Z N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 9 A, 400 V, 3-PIN TO-220
N-channel 400 V, 0.49 Ohm typ., 9 A SuperMESH Power MOSFET in TO-220 package
Ciiva
Trans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power MOSFET, N Channel, 400 V, 9 A, 0.55 ohm, TO-220, Through Hole
N-CHANNEL 400 V, 0.49 OHM, 9 A TO-220 ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 9A; Drain Source Voltage Vds: 400V; On Resistance Rds(on): 0.49ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -; Threshold Voltage Vgs: -; Power Dissipation Pd: 110
Mosfet, N, To-220; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:9A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:400V; Resistencia De Activación Rds(On):550Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Tensión Umbral Vgs:3.75V |Stmicroelectronics STP11NK40Z
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Current Rating9 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance550 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance930 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max550 mΩ
Resistance490 mΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)400 V
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant