STMicroelectronics STP12NK30Z
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Modelos CAD
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Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 SnapEDA | Pegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STP12NK30Z fornecidas pelos seus distribuidores.
N-CHANNEL 300V 0.36 OHM 9A TO-220 ZENER-PROTECTED SUPER-MESH POWER MOSFET
Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power MOSFET, N Channel, 300 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Through Hole
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 300V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 9A; Drain Source Voltage Vds: 300V; On Resistance Rds(on): 0.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipation
Mosfet, N, To-220; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:9A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:300V; Resistencia De Activación Rds(On):400Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Tensión Umbral Vgs:3.75V |Stmicroelectronics STP12NK30Z
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +64.64%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Current Rating9 A
Drain to Source Breakdown Voltage300 V
Drain to Source Resistance400 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)300 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance670 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage300 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation90 W
Rds On Max400 mΩ
Resistance400 mΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Voltage Rating (DC)300 V
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant