STMicroelectronics STP10LN80K5
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | STP10LN80K5 | 0 | 1 | 14h | ||||||||
| Avnet | STP10LN80K5 | 0 | 1K | 5d | ||||||||
| Arrow Electronics | STP10LN80K5 | 0 | 1K | |||||||||
| Mouser | 511-STP10LN80K5 | 1 | 1 | Tube | ||||||||
| Worldway Electronics | STP10LN80K5 | 23.127 | 7 | Tube | 1h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Single N-Channel 600 V 460 mOhm 28 nC CoolMOS Power Mosfet - TO-220-3FP, PG-TO220-3, RoHS
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STP10LN80K5 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
Power MOSFET, N-ch, MDmesh K5, 800V, 8A, 3-pin (3+tab) TO-220, Tube
110W(Tc) 30V 5V@ 100¦ÌA 15nC@ 10 V 1N 800V 630m¦¸@ 4A,10V 8A 427pF@100V TO-220
800V 8A 630m´Î@10V4A 110W 5V@100Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 800V, 0.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Resistance630 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Input Capacitance427 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max630 mΩ
Schedule B8541290080
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