STMicroelectronics STF12N60M2
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Production
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-16012-5-ND | 684 | 1 | Tube | ||||||||
| TME | STF12N60M2 | 0 | 1 | 18h | ||||||||
| Avnet | STF12N60M2 | 0 | 2K | 8h | ||||||||
| Future Electronics | STF12N60M2 | 0 | 1K | Bulk | ||||||||
| Farnell | STF12N60M2 | 0 | 1K | 1d |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Single N-Channel 600 V 400 mOhm 32 nC CoolMOS Power Mosfet - TO-220-3FP, PG-TO220-3, RoHS
InfineonIPA60R460CEXKSA1
Single N-Channel 600 V 460 mOhm 28 nC CoolMOS Power Mosfet - TO-220-3FP, PG-TO220-3, RoHS
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STF12N60M2 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronics NMOS MDmesh M2, Vds=600 V, 9 A, TO-220FP, , 3
N-Channel 600V 9A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
90004001,场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 9A, 150度 C, 25W;
Mosfet, N-Ch, 600V, 9A, 150Deg C, 25W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.395Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STF12N60M2
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Resistance395 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance538 pF
Max Power Dissipation25 W
Rds On Max450 mΩ
Schedule B8541290080
Fichas técnicas e documentos
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