STMicroelectronics STI18N65M2
$ 1.228
Production
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | STI18N65M2 | 98 | 1 | 15h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | STI18N65M2 | 0 | 1 | Bulk | 6h | |||||||
| Future Electronics | STI18N65M2 | 0 | 1K | Tube | ||||||||
| Avnet | STI18N65M2 | 0 | 1K | 3d | ||||||||
| Win Source | WS-STI18N65M2 | 2.380 | 35 | 18h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-01-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Descrições
Descrições de STMicroelectronics STI18N65M2 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STI18N65M2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 12 A, 650 V, 3-PIN I2PAK
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
Hv Mosfet Mdmesh |Stmicroelectronics STI18N65M2
110W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 20nC@ 10 V 1N 650V 330m¦¸@ 6A,10V 12A 770pF@100V I2PAK 10mm*4.4mm*8.95mm
Power MOSFETs, 650V, 12A, I2PAK, Tube
STMicroelectronics SCT
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Resistance330 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance770 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Number of Elements1
Rds On Max330 mΩ
Turn-Off Delay Time46 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height9.35 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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