STMicroelectronics STI13NM60N
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | STI13NM60N | 0 | 1K | 1d | ||||||||
| Arrow Electronics | STI13NM60N | 0 | 1K | |||||||||
| Farnell | STI13NM60N | 0 | 5 | 13h | ||||||||
| Mouser | 511-STI13NM60N | 883 | 1 | Tube | ||||||||
| Win Source | WS-STI13NM60N | 24.000 | 40 | 14h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-02-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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N-channel 500 V, 0.28 Ohm, 12 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in I2PAK package
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Descrições
Descrições de STMicroelectronics STI13NM60N fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in I2PAK package
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
90W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 30nC@ 10 V 1N 600V 360m¦¸@ 5.5A,10V 11A 790pF@50V I2PAK
MOSFET N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK
MOSFET N-Channel 650V 11A I2PAK
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Power MOSFETs, 600V, 11A, I2PAK, Tube
STMicroelectronics SCT
MOSFET, N CH, 600V, 11A, I2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.28ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:90W; Transistor Case Style:TO-262; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance360 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance790 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation90 W
Rds On Max360 mΩ
Resistance360 MΩ
Rise Time8 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time3 ns
Dimensions
Height10.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant