STMicroelectronics STH185N10F3-2
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-09-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 months ago)
LTB Date2020-10-02
LTD Date2021-04-02
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTH180N10F3-2
N-channel 100 V, 3.9 mOhm typ., 180 A STripFET F3 Power MOSFET in H2PAK-2 package
InfineonIRF100S201
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
InfineonAUIRLS4030
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK / N-Channel 100 V 180A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
InfineonAUIRLS4030TRL
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
VishaySUM70060E-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 131 A, 0.0056 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STH185N10F3-2 fornecidas pelos seus distribuidores.
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STH185N10F3-2 N-channel MOSFET Transistor, 180 A, 100 V
Automotive-grade N-channel 100 V, 3.9 mOhm typ., 180 A STripFET F3 Power MOSFET in H2PAK-2 package
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 / Switching applications
Automotive Power Discrete, 100V, 180A, H2PAK-2, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
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Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)180 A
Drain to Source Resistance4.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Input Capacitance6.665 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation315 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation315 W
Rds On Max4.5 mΩ
Turn-Off Delay Time99.9 ns
Turn-On Delay Time25.6 ns
Dimensions
Length15.8 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant