STMicroelectronics STGWT80H65DFB
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginSouth Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-03-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTGWA80H65FB
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 469000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STMicroelectronicsSTGWA80H65DFB
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
onsemiFGH75T65SHDTL4
IGBT 650V 150A 455W TO-247 / Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
onsemiFGA60N65SMD
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube / IGBT 650V 120A 600W TO3P
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STGWT80H65DFB fornecidas pelos seus distribuidores.
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
STGWT80H65DFB, IGBT TRANSISTOR, 120 A 650 V, 1MHZ, 3-PIN TO-3P
Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
IGBT Trench HB Series 650V 80A TO-3P
RS APAC
IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3P
TO3P IGBT 80A @100C 600V TRENC
IGBT, SINGLE, 650V, 120A, TO-3P; DC Collector Current: 120A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.6V; Power Dissipation Pd: 469W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-3P; No. of Pins:
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -20.01%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight6.756003 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.6 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current120 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation469 W
Min Operating Temperature-55 °C
Reverse Recovery Time85 ns
Dimensions
Height20.1 mm
Length15.8 mm
Width5 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant