STMicroelectronics STGW80H65DFB
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-03-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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IGBT 650V 150A 455W TO-247 / Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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Descrições
Descrições de STMicroelectronics STGW80H65DFB fornecidas pelos seus distribuidores.
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STGW80H65DFB, IGBT TRANSISTOR, 120 A 650 V, 3-PIN TO-247
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Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight38.000013 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.6 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current120 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation469 W
Min Operating Temperature-55 °C
Reverse Recovery Time85 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
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