STMicroelectronics STGWT40H65DFB
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Infineon IGW50N65F5FKSA1 IGBT Transistor Module, 80 A 650 V PG-TO247-3
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STGWT40H65DFB fornecidas pelos seus distribuidores.
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
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283W 1.6V 650V 80A TO-3P 23.4mm
IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-3P; Continuous Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.6V; Power Dissipation:283W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight6.756003 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.6 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current80 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation283 W
Min Operating Temperature-55 °C
Reverse Recovery Time62 ns
Dimensions
Height20.1 mm
Length15.8 mm
Width5 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant