STMicroelectronics STGWA30M65DF2

Name: STMicroelectronics STGWA30M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: STGWA30M65DF2

Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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Newark		STGWA30M65DF2	100	1	2,570	2,570	2,570	2,570	2,570
TME	2	STGWA30M65DF2	0	1	2,580	2,580	2,580	2,580	2,580	3h
Avnet		STGWA30M65DF2	0	600				1,291	1,086	6h
Arrow Electronics		STGWA30M65DF2	0	600				1,333	1,294
Farnell		STGWA30M65DF2	71	1	2,316*	2,030*	1,676*	1,512*	1,512*	1d

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Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2015-05-04

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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Descrições

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Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Verical

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

STMicroelectronics

IGBT, SINGLE, 650V, 60A, TO-247-3; DC Collector Current: 60A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.55V; Power Dissipation Pd: 258W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pi

Farnell

Igbt, Single, 650V, 60A, To-247; Continuous Collector Current:60A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.55V; Power Dissipation:258W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STGWA30M65DF2

Newark

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Nomes alternativos do fabricante

STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes: