STMicroelectronics STGW30H60DFB
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-02-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 8 months ago)
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Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STGW30H60DFB fornecidas pelos seus distribuidores.
Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
260W 60A 600V FS(Field Stop) TO-247 IGBT Transistors / Modules ROHS
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IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
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IGBT, SINGLE, 600V, 60A, TO-247; DC Collector Current: 60A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 600V; Power Dissipation Pd: 260W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.55V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pins
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +122%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)600 V
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Forward Current30 A
Forward Voltage2 V
Max Collector Current60 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation260 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Reverse Recovery Time53 ns
Schedule B8541290080
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
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