STMicroelectronics STGWA15S120DF3
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 SnapEDA | Pegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-12-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTGW15S120DF3
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
InfineonIRG4PH40KDPBF
1200V UltraFast 4-20 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package, TO247COPAK-3, RoHS
InfineonIRG4PH40KPBF
1200V UltraFast 4-20 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STGWA15S120DF3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 15 A low drop
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 30A, TO-247-3; DC Collector Current: 30A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.55V; Power Dissipation Pd: 259W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor Case Style: TO-247; No. of
Igbt, Single, 1.2Kv, 30A, To-247; Continuous Collector Current:30A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.55V; Power Dissipation:259W; Collector Emitter Voltage Max:1.2Kv; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STGWA15S120DF3
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)1.2 kV
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.05 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Forward Current15 A
Forward Voltage2.7 V
Max Collector Current30 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation259 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Reverse Recovery Time270 ns
Fichas técnicas e documentos
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