STMicroelectronics STGW40H60DLFB
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Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STGW40H60DLFB fornecidas pelos seus distribuidores.
Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 40 A high speed
283W 80A 600V FS(Field Stop) TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IGBT, 600V, 80A, 175DEG C, 283W; DC Collector Current: 80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.6V; Power Dissipation Pd: 283W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pins:
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight38.000013 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.6 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current80 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation283 W
Min Operating Temperature-55 °C
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
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