STMicroelectronics STGFW40V60DF
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-04-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTGW39NC60VD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STMicroelectronicsSTGWT40V60DF
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
onsemiFGH40N60SMD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / IGBT 600V 80A 349W TO-247-3
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STGFW40V60DF fornecidas pelos seus distribuidores.
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
Short-circuit rugged IGBT, TO-3PF, Tube
STMicroelectronics SCT
Igbt |Stmicroelectronics STGFW40V60DF
IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-3PF-3
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.44%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.961991 g
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)600 V
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.3 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Forward Current40 A
Forward Voltage1.7 V
Max Collector Current80 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation98.5 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Reverse Recovery Time41 ns
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