STMicroelectronics STGB10NC60KDT4
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-07-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTGB7NC60HDT4
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / IGBT 600V 25A 80W D2PAK
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STGB10NC60KDT4 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / IGBT 600V 20A 65W D2PAK
Igbt Single Transistor, 10 A, 2.5 V, 60 W, 600 V, To-263, 3 |Stmicroelectronics STGB10NC60KDT4
STGB10NC60KDT4, IGBT TRANSISTOR, 20 A 600 V, 1MHZ, 3-PIN D2PAK
N-CHANNEL 600V-10A-D2PAK SHORT CIRCUIT RATED POWERMESH IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
IGBT, SMD, 600V, 10A, D2-PAK; DC Collector Current: 10A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.5V; Power Dissipation Pd: 60W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015); Current Ic Continuous a Max: 20A; Fall Time tf: 82ns; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Power Dissipation Max: 60W; Pulsed Current Icm: 30A; Rise Time: 6ns; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Polarity: N Channel; Transistor Type: IGBT; Voltage Vces: 600V
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Tendência de 3 meses: +68.32%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight2.240009 g
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)600 V
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Drain Current (ID)10 A
Current Rating10 A
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Forward Current10 A
Forward Voltage2 V
Max Breakdown Voltage600 V
Max Collector Current20 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation60 W
Reverse Recovery Time22 ns
Rise Time6 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Turn-Off Delay Time72 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant