onsemi FGB7N60UNDF
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-12-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2021-07-29
LTD Date2022-01-29
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTGB14NC60KDT4
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
InfineonAUIRG4BC30U-S
600V Automotive UltraFast 8-60 kHz Discrete IGBT in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Descrições
Descrições de onsemi FGB7N60UNDF fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans IGBT Chip N=-CH 600V 14A 83000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
IGBT, 600V, 7A, Short Circuit Rated
IGBT Transistors 600V 7A NPT IGBT
Nptpigbt To263 7A 600V/Reel |Onsemi FGB7N60UNDF
FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS;
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Using advanced NPT IGBT technology, Fairchild’s the NPT IGBTs offer the optimum performance for low-power inverter-driven applications where low-losses and short-circuit ruggedness features are essential.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Tendência de 3 meses: +0.00%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.9 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Collector Current14 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time89 ns
Max Collector Current14 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation83 W
Reverse Recovery Time32.3 ns
Turn-Off Delay Time32.3 ns
Turn-On Delay Time5.9 ns
Dimensions
Height5.08 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade