STMicroelectronics STFI24N60M2
$ 2.454
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-13598-5-ND | 474 | 1 | Tube | ||||||||
| Mouser | 511-STFI24N60M2 | 1.397 | 1 | Tube | ||||||||
| Microchip USA | STFI24N60M2 | 389 | 300 | Tray | 13h | |||||||
| Win Source | WS-STFI24N60M2 | 10.000 | 17 | 20h | ||||||||
| Worldway Electronics | STFI24N60M2 | 8.185 | 7 | Tube | 19h |
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Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-01-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-06-22
LTD Date2018-12-22
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Cool MOS™ Power Transistor / Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STFI24N60M2 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAKFP package
STFI24N60M2 N-channel MOSFET Transistor, 18 A, 650 V, 3-Pin I2PAKFP
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Power Field-Effect Transistor
Ptd High Voltage
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
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Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance168 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.06 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Operating Temperature-55 °C
Power Dissipation30 W
Rds On Max190 mΩ
Rise Time9 ns
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height10.85 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant