STMicroelectronics STF33N65M2
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-12-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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STMicroelectronicsSTF34N65M5
N-channel 650 V, 0.09 Ohm typ., 28 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220FP package
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N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTP33N60M2
N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220 package
VishaySIHA25N50E-E3
35W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 86nC@ 10 V 1N 500V 145m¦¸@ 12A,10V 26A 1.98nF@100V TO-220
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STF33N65M2 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STF33N65M2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 24 A, 650 V, 3-PIN TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
34W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 41.5nC@ 10 V 1N 650V 140m¦¸@ 12A,10V 24A 1.79nF@100V TO-220FP
Extremely low gate charge | MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 650V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.38%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Drain to Source Resistance140 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.79 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation34 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max140 mΩ
Turn-Off Delay Time72.5 ns
Turn-On Delay Time13.5 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas e documentos
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