STMicroelectronics STF2NK60Z

Name: STMicroelectronics STF2NK60Z
Brand: STMicroelectronics
SKU: STF2NK60Z

Nn-channel 600V 7.2 Ohm 1.4A TO-220FP Zener-protected Supermesh Mosfet

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Microchip USA	STF2NK60Z	2.625	3500	Tray					0,414	15h
Component Stockers USA	STF2NK60Z	436			99,990	99,990	99,990	99,990	99,990	1d
Win Source	WS-STF2NK60Z	7.000	12				3,809	3,415	3,415	1d
Worldway Electronics	STF2NK60Z	8.832	7	Tube		0,157	0,152	0,144	0,144	23h
Aztech	STF2NK60Z	7.764			5,900	5,900	5,900	5,900	5,900	19h

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Fichas técnicas e documentos

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IHS

Datasheet16 páginas20 anos atrás

STMicroelectronics

iiiC

Cadeia de suprimentos

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1980-01-04

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2012-11-10

LTD Date2013-05-10

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Descrições

Descrições de STMicroelectronics STF2NK60Z fornecidas pelos seus distribuidores.

NN-CHANNEL 600V 7.2 Ohm 1.4A TO-220FP ZENER-PROTECTED SUPERMESH MOSFET

STMicroelectronics

Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 600V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

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MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220FP

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Lanka Micro

Nomes alternativos do fabricante

STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

ST MICRO
STM
SGS
SGS THOMSON
INMOS
STMICROE
STMICROEL
STMICR
ST MIC
ST MICROELECTRONIC
SGS THOMPSON
SESCOSEM
STMICROELECT
ST8
STMICROELECTRON
WAFERSCALE
SGS-ATES
ST MICROELECTRONICS SEMI
ST/SGS
ST MICROELECTRO
SGST
THOMS
STMICROELE
WAFERSCALE INTEGRATION INC
SGS-Thomson Microelectronics
ST Microeletronics

Modelos CAD

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Peças alternativas

0 peça disponível

Especificações técnicas

Physical

Case/PackageTO-220-3

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)1.4 A

Drain to Source Breakdown Voltage600 V

Drain to Source Resistance8 Ω

Drain to Source Voltage (Vdss)600 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time25 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance170 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation20 W

Min Breakdown Voltage600 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation20 W

Rds On Max8 Ω

Rise Time30 ns

Turn-Off Delay Time22 ns

Turn-On Delay Time8 ns

Fichas técnicas e documentos

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IHS

Datasheet16 páginas20 anos atrás

STMicroelectronics

iiiC

Conformidade

Classificação ambiental

China RoHSNon-Compliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant