STMicroelectronics STF2N95K5
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Descrições
Descrições de STMicroelectronics STF2N95K5 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 950 V 5 Ohm 10 nC 20 W Silicon Flange Mount Mosfet - TO-220FP
STF2N95K5 N-Channel MOSFET, 2 A, 950 V MDmesh K5, SuperMESH5, 3-Pin TO-220FP STMicroelectronics
N-channel 950 V, 4.2 Ohm typ., 2 A Zener-protected SuperMESH(TM) 5 Power MOSFET in TO-220FP package
Trans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 950V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 950V, 2A, To-220Fp; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:950V; Continuous Drain Current Id:2A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STF2N95K5
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.02%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2 A
Drain to Source Breakdown Voltage950 V
Drain to Source Resistance5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)950 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time32.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance105 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Breakdown Voltage950 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max5 Ω
Rise Time13.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time20.5 ns
Turn-On Delay Time8.5 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant