STMicroelectronics STB18NF30
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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3.1W(Ta),125W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 68nC@ 10 V 1N 250V 280m¦¸@ 8.4A,10V 14A 1.3nF@25V D2PAK,TO-263
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STB18NF30 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 330 V 180 mOhm Surface Mount Power MOSFET - D2PAK
Automotive-grade N-channel 330 V, 160 mOhm typ., 18 A STripFET(TM) II Power MOSFET in a D2PAK package
150W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 44nC@ 10 V 1N 330V 180m¦¸@ 9A,10V 18A 1.65nF@25V D2PAK,TO-263-3
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Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +11.26%
Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage330 V
Drain to Source Resistance180 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)330 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.65 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage330 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation150 W
Rds On Max180 mΩ
Resistance180 MΩ
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant