onsemi FQB25N33TM-F085
$ 1.45
Obsolete
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Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi FQB25N33TM-F085.
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-04-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2020-01-16
LTD Date2020-07-16
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Descrições
Descrições de onsemi FQB25N33TM-F085 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 330V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-CHANNEL SINGLE WITH BUILT-IN DIODE 2 EAR99 Mosfet Transistor 25A 250W 330V 0.23Ohm
N-Channel QFET® MOSFET, 330V, 25A, 230mΩ
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Farichild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimized on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficient switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballast based on half bridge topology.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
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Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)25 A
Drain to Source Resistance230 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)330 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time70 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.01 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage330 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max230 mΩ
Rise Time100 ns
Turn-Off Delay Time90 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade