STMicroelectronics STB18N60M2
$ 1.075
Production
Preço e estoque
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Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-13933-1-ND | 605 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | STB18N60M2 | 0 | 1K | 16h | ||||||||
| Avnet | STB18N60M2 | 0 | 1K | 5h | ||||||||
| Future Electronics | STB18N60M2 | 0 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | STB18N60M2 | 0 | 5 | Bulk | 20h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | Pegada | 3D | Baixar |
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Descrições
Descrições de STMicroelectronics STB18N60M2 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
STB18N60M2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 13 A, 650 V, 3-PIN D2PAK
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
STB18 Series 600 V 13 A 280 mOhm 110 W 21.5 nC N-Channel MOSFET - D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +0.45%
Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Resistance280 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance791 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation110 W
Rds On Max280 mΩ
Resistance280 mΩ
Rise Time9 ns
Turn-Off Delay Time47 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant