STMicroelectronics STB15N80K5
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | STB15N80K5 | 338 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | STB15N80K5 | 1.000 | 1K | |||||||||
| Verical | STB15N80K5 | 1.000 | 1K | |||||||||
| DigiKey | 497-13423-1-ND | 233 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | STB15N80K5 | 0 | 1K | 6d |
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 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-07-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Descrições
Descrições de STMicroelectronics STB15N80K5 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 800 V, 0.3 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in D2PAK package
STB15N80K5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 14 A, 800 V, 3-PIN D2PAK
Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 800V, 0.375ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 800V, 14A, 190W, TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 14A; Drain Source Voltage Vds: 800V; On Resistance Rds(on): 0.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 190W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: MDmesh K5 Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance375 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation190 W
Rds On Max375 mΩ
Rise Time17.6 ns
Turn-Off Delay Time44 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant