STMicroelectronics STB11NM80T4
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| Avnet | STB11NM80T4 | 9.000 | 1K | 5h | ||||||||
| Future Electronics | STB11NM80T4 | 1.000 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Newark | STB11NM80T4 | 9.000 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | STB11NM80T4 | 3.000 | 1K | |||||||||
| Verical | STB11NM80T4 | 3.000 | 1K |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Descrições
Descrições de STMicroelectronics STB11NM80T4 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 800 V, 0.35 Ohm, 11 A MDmesh(TM) Power MOSFET in D2PAK
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 5.5 A, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Power Mosfet, N Channel, 5.5 A, 800 V, 0.35 Ohm, 4 V, 4 V |Stmicroelectronics STB11NM80T4
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
MOSFET, N CH, 800V, 11A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5.5A; Drain Source Voltage Vds: 800V; On Resistance Rds(on): 0.35ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 150W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015); Current Id Max: 44A; Operating Temperature Min: -65°C; Operating Temperature Range: -65°C to +150°C; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Type: Power MOSFET; Voltage Vds Typ: 800V; Voltage Vgs Max: 4V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -16.47%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Current Rating11 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance400 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.63 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation205 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation150 W
Rds On Max400 mΩ
Resistance400 mΩ
Rise Time17 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time46 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Voltage Rating (DC)800 V
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.75 mm
Width10.4 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant