STMicroelectronics STAC2942BW
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Peças relacionadas
NXP SemiconductorsBLF573,112
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
NXP SemiconductorsMRFE6VP6300HR5
RF Power Transistor,1.8 to 600 MHz, 300 W, Typ Gain in dB is 25 @ 130 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1827
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STAC2942BW fornecidas pelos seus distribuidores.
STAC2942 Series 130 V 40 A 350 W 21 dB N-channel RF SMT Power Transistor
350W - 50V HF/VHF DMOS in STAC244 Boltdown package
Transistor RF FET N-CH 130V 40A 175MHz 3-Pin STAC244B Tray
RF MOSFET Transistors 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
625W 20V 1N 130V 40A 425pF@ 50V STAC-244F 34.04mm*9.78mm*5.33mm
HF/VHF/UHF RF power N-channel MOSFET
STMicroelectronics SCT
Rf Transistor, 130V, 175Mhz, Stac244B; Drain Source Voltage Vds:130V; Continuous Drain Current Id:40A; Power Dissipation:625W; Operating Frequency Min:-; Operating Frequency Max:175Mhz; No. Of Pins:4Pins; Channel Type:N Channel Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STAC2942BW
TRANS RF PWR N-CH 350W STAC244B
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +25.00%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Body MaterialCeramic
MountScrew
Number of Pins5
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Current Rating40 A
Drain to Source Breakdown Voltage130 V
Drain to Source Voltage (Vdss)130 V
Frequency175 MHz
Gain21 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Frequency250 MHz
Max Operating Temperature200 °C
Max Power Dissipation625 W
Min Breakdown Voltage130 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Operating Supply Voltage50 V
Output Power350 W
Power Dissipation625 W
Power Gain21 dB
Test Current250 mA
Test Voltage50 V
Voltage Rating130 V
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant