NXP Semiconductors MRFE6VP6300HR5
$ 174.81
EOL
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | MRFE6VP6300HR5CT-ND | 91 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | MRFE6VP6300HR5 | 50 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| RFMW | MRFE6VP6300HR5 | 1 | 1 | 10h | ||||||||
| Future Electronics | MRFE6VP6300HR5 | 0 | 50 | Bulk | ||||||||
| Avnet | MRFE6VP6300HR5 | 0 | 50 | 11h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloPegada |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00
Introduction Date2010-10-14
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-09-30
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Descrições
Descrições de NXP Semiconductors MRFE6VP6300HR5 fornecidas pelos seus distribuidores.
RF Power Transistor,1.8 to 600 MHz, 300 W, Typ Gain in dB is 25 @ 130 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1827
Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V, CFM4F, RoHS
NXP Semiconductors SCT
RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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Nomes alternativos do fabricante
NXP Semiconductors possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. NXP Semiconductors também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
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Especificações técnicas
Physical
Body MaterialCeramic
Contact PlatingGold
MountScrew, Surface Mount
Number of Terminals4
Weight6.395794 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 mA
Drain to Source Breakdown Voltage130 V
Drain to Source Voltage (Vdss)130 V
Gain26.5 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Max Frequency600 MHz
Max Junction Temperature (Tj)225 °C
Max Operating Temperature225 °C
Max Power Dissipation1.05 kW
Min Breakdown Voltage130 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Channels1
Number of Elements2
Output Power300 W
Power Dissipation1.05 kW
Schedule B8541290080
Test Current100 mA
Test Voltage50 V
Voltage Rating130 V
Dimensions
Height4.32 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade