STMicroelectronics MJD47T4
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de STMicroelectronics MJD47T4 fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 250 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Transistor, Bipolar, Si, NPN, High Voltage, Power, VCEO 250V, IC 1A, PD 15W, TO-252
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
Trans GP BJT NPN 250V 1A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252AA, Plastic/Epoxy, 2 Pin
250V 1A NPN BJT Power Transistor, DPAK, 10MHz
1V@200mA, 1A NPN, 15W, 5V, 100μA, 350V, 250V, 1A, TO-252, SMD, 2.4mm H
TRANS, NPN, 250V, 1A, 150DEG C, 15W; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 250V; Transition Frequency ft: 10MHz; Power Dissipation Pd: 15W; DC Collector Current: 1A; DC Current Gain hFE: 10hFE; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -4.07%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)350 V
Collector Emitter Breakdown Voltage250 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)250 V
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency10 MHz
Gain Bandwidth Product10 MHz
hFE Min10
Max Breakdown Voltage250 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency10 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation15 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation15 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency10 MHz
Voltage Rating (DC)250 V
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant