onsemi KSH50TF
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Peças relacionadas
onsemiFJD3305H1TM
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252AA, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Descrições
Descrições de onsemi KSH50TF fornecidas pelos seus distribuidores.
TRANSISTOR,BJT,NPN,400V V(BR)CEO,1A I(C),TO-252
400V 15W 1A NPN TO-252-3L Bipolar Transistors - BJT ROHS
KSH50 Series NPN 1.56 mW 400 V 10 MHz Epitaxial Silicon Transistor -TO-252-3
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 400V, TO-252-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 400V; Transition Frequency ft: 10MHz; Power Dissipation Pd: 15W; DC Collector Current: 1A; DC Current Gain hFE: 10hFE; Trans
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)500 V
Collector Emitter Breakdown Voltage400 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)400 V
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency10 MHz
Gain Bandwidth Product10 MHz
hFE Min10
Max Breakdown Voltage400 V
Max Collector Current1 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation15 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Output Power1.56 W
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Power Dissipation1.56 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency10 MHz
Voltage Rating (DC)400 V
Dimensions
Height2.527 mm
Length6.6 mm
Width6.1 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade