STMicroelectronics BDX33C
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
-
-
Case/Package
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
10 A
10 A
10 A
Transition Frequency
3 MHz
3 MHz
3 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V
2.5 V
2.5 V
hFE Min
750
750
750
Power Dissipation
70 W
70 W
70 W
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1989-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
onsemiKSE44H11TU
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Descrições
Descrições de STMicroelectronics BDX33C fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar junction transistor, NPN, 10 A, 100 V, THT, TO-220, BDX33C
100V 750@3V,3A NPN 500uA 10A 70W +150℃@(Tj) 2.5V@3A,6mA TO-220 Darlington Transistors ROHS
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans Darlington NPN 100V 10A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Bipolar (Bjt) Single Transistor, Darlington, Npn, 100 V, 70 W, 10 A, 750 Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics BDX33C
Transistor Darlington NPN 10A/100V 70W TO220 BDX 33 C
Power Bipolar, NPN, 3V, 6mA, TO-220, Tube
STMicroelectronics SCT
DARLINGTON TRANSISTOR, TO-220; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 70W; DC Collector Current: 10A; DC Current Gain hFE: 750hFE; Transistor Case
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Element ConfigurationSingle
hFE Min750
Max Collector Current10 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation70 W
Transition Frequency3 MHz
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant