STMicroelectronics BD138
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Stock
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Authorized Distributors
6
6
Mount
Through Hole
-
Case/Package
SOT-32
TO-225
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
60 V
60 V
Max Collector Current
1.5 A
1.5 A
Transition Frequency
75 MHz
50 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
hFE Min
25
25
Power Dissipation
12.5 W
1.25 W
Descrições
Descrições de STMicroelectronics BD138 fornecidas pelos seus distribuidores.
STMICROELECTRONICS BD138 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 60 V, 1.25 W, -1.5 A, 250 hFE
PNP SILICON TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
BD138 PNP BIPOLAR TRANSISTOR, 1.5 A, 60 V, 3-PIN SOT-32
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
BD139 Series 60 V 1.5 A Through Hole PNP Epitaxial Planar Transistor - SOT-32-3
STMicroelectronics PNPTransistor, SOT-32encapsulation, Through hole mounting, Maximum DC collector current-1.5 A, maximum collector-emission voltage-60 V
TRANSISTOR, PNP TO-126; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60V; DC Collector Current: 1.5A; DC Current Gain hFE: 250hFE; Transistor Case Style: TO-126; No. of Pins: 3Pins; MSL: -; SVHC: No SVHC (17-Dec
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-32
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min25
Max Collector Current1.5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation8 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Power Dissipation12.5 W
Transition Frequency75 MHz
Dimensions
Height10.8 mm
Length7.8 mm
Width2.7 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant