Panasonic 2SK4043LS
$ 1.688
Obsolete
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-11-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
InfineonIRL8114PBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
STMicroelectronicsSTP160N3LL
N-channel 30 V, 2.5 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package
InfineonSPP80N03S2L04AKSA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 / N-Channel 30 V 80A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Descrições
Descrições de Panasonic 2SK4043LS fornecidas pelos seus distribuidores.
Bulk Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 20A Ta 20A 20W 30V
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 20 A, 0.021 ohm, TO-220FI, Through Hole
Power MOSFET 30 V, 20 A, 21 mOhm Single N-Channel
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH 30V 20A TO220F; Transistor Type:Switching; Transistor Polarity:N; Typ Voltage Vds:30V; Cont Current Id:20A; On State Resistance:21mohm; Voltage Vgs Rds on Measurement:4V; Typ Voltage Vgs th:1.3V; Case Style:TO-220FI; ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
Panasonic possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Panasonic também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- PAN
- Panasonic Electronic Components
- PANASONI
- Panasonic Electric Works
- PANASON
- PANA
- PANAS
- PANASO
- PANSONIC
- Panasonic Industrial Automation Sales
- PANASONIC INDUSTRIAL
- Panasonic Industrial Devices
- PANASONIC BATTERIES
- PANASONIC CORPORATION
- PANASOINC
- PANASONIC CORP
- PANISONIC
- PANOSONIC
- MATSUSHITA PANASONIC
- PANASONC
- PANASOIC
- AROMAT CORP
- PEW
- PANASONIC/MATSUSHITA
- PANS
- Panasonic Industrial Devices
- Panasonic Corporation of North America
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: Restocked
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance24 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance3 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation20 W
Rds On Max21 mΩ
Resistance21 mΩ
Threshold Voltage1.3 V
Turn-Off Delay Time370 ns
Turn-On Delay Time27 ns
Dimensions
Height19.6 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnknown
RoHSCompliant
Declarações de conformidade