ROHM DTD143ECT116
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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Stock
140,096
232,292
Authorized Distributors
6
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-236-3
TO-236-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
Max Collector Current
500 mA
500 mA
Transition Frequency
200 MHz
200 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
300 mV
hFE Min
47
47
Power Dissipation
-
200 mW
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descrições
Descrições de ROHM DTD143ECT116 fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor Digital BJT NPN 500mA 3-Pin SOT-23 T/R
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 47 @ 50mA 5V 500nA 200mW 200MHz
Digital Trans, 50V, 0.5A, Sot-23; Digital Transistor Polarity:Single Npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:500Ma; Base Input Resistor R1:4.7Kohm; Base-Emitter Resistor R2:4.7Kohm; Resistor Rohs Compliant: Yes |Rohm DTD143ECT116
Nomes alternativos do fabricante
ROHM possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. ROHM também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -8.03%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
hFE Min47
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Number of Elements1
PolarityNPN
Schedule B8541210080
Transition Frequency200 MHz
Fichas técnicas e documentos
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